Name: SI8824EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8824EDB-T2-E1TR-ND
Price: 13.9755 CZK
Availability: OutOfStock

SI8824EDB-T2-E1
Číslo produktu DigiKey	SI8824EDB-T2-E1TR-ND - Páska a cívka (TR) SI8824EDB-T2-E1CT-ND - Řezaná páska (CT) SI8824EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI8824EDB-T2-E1
Popis	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 2,1A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch 4 mikro nožky
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI8824EDB-T2-E1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,1A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	75mOhm při 1A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	800mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	400 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	4 mikro nožky
Pouzdro	4-XFBGA, CSPBGA
Základní číslo produktu	SI8824

Jednotková cena bez DPH:	11,55000 Kč
Jednotková cena s DPH:	13,97550 Kč

SI8824EDB-T2-E1