Name: SI8821EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8821EDB-T2-E1TR-ND
Price: 17.0247 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI8821EDB-T2-E1
Číslo produktu DigiKey	SI8821EDB-T2-E1TR-ND - Páska a cívka (TR) SI8821EDB-T2-E1CT-ND - Řezaná páska (CT) SI8821EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI8821EDB-T2-E1
Popis	MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 1,6A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch 4 mikro nožky
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI8821EDB-T2-E1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,3V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 440 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 500mW (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 4 mikro nožky
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,6A (Ta)	Pouzdro 4-XFBGA, CSPBGA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 4,5V	Základní číslo produktu SI8821
Rds zap (max) při Id, Vgs 135mOhm při 1A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)