Name: SI7884BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7884BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 99.341 CZK
Availability: InStock

SI7884BDP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7884BDP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7884BDP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7884BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7884BDP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 58A (Tc) 4,6W (Ta), 46W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7884BDP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	58A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,5mOhm při 16A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3540 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4,6W (Ta), 46W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SI7884

Jednotková cena bez DPH:	82,10000 Kč
Jednotková cena s DPH:	99,34100 Kč

SI7884BDP-T1-GE3