Name: SIR470DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR470DP-T1-GE3TR-ND
Price: 95.5295 CZK
Availability: InStock

SIR470DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR470DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR470DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR470DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR470DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR470DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,3mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5660 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR470

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	24,46575 Kč	73 397,25 Kč
6 000	23,88523 Kč	143 311,38 Kč

Jednotková cena bez DPH:	78,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:	95,52950 Kč

SIR470DP-T1-GE3