Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
SI4900DY-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:
Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4900DY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Zastaralé | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 60V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 5,3A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 58mOhm při 4,3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 20nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 665pF při 15V | |
Výkon - max | 3,1W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
Zastaralý
Česká republika