N-kanál 30 V 6,5A (Ta) 1,3W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4800BDY-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SI4800BDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SI4800BDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SI4800BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SI4800BDY-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 6,5A (Ta) 1,3W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
18,5mOhm při 9A, 10V
Mfr
Vgs(th) (max) při Id
1,8V při 250µA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
13 nC @ 5 V
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
±25V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
1,3W (Ta)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (3)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
SI4178DY-T1-GE3Vishay Siliconix6 705SI4178DY-T1-GE3CT-ND22,68000 KčMFR Recommended
FDS8884onsemi10FDS8884CT-ND20,37000 KčSimilar
STS10N3LH5STMicroelectronics1 933497-10010-1-ND34,44000 KčSimilar
Skladem: 1 001
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn. Zobrazit Náhrady.
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT)
Množství Jednotková cena Celk. cena
130,87000 Kč30,87 Kč
1019,46500 Kč194,65 Kč
10012,88860 Kč1 288,86 Kč
50010,06854 Kč5 034,27 Kč
1 0009,16059 Kč9 160,59 Kč
Jednotková cena bez DPH:30,87000 Kč
Jednotková cena s DPH:37,35270 Kč