Name: SI4178DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4178DY-T1-GE3TR-ND
Price: 27.4428 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4178DY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4178DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4178DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4178DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4178DY-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 12A (Tc) 2,4W (Ta), 5W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4178DY-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,8V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 405 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,4W (Ta), 5W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12A (Tc)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SI4178
Rds zap (max) při Id, Vgs 21mOhm při 8,4A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 6 705

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)