Name: SI2387DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND
Price: 15.5364 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI2387DS-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SI2387DS-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SI2387DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI2387DS-T1-GE3
Popis	P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Standardní dodací lhůta výrobce	33 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 80 V 2,1A (Ta), 3A (Tc) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,1A (Ta), 3A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	164mOhm při 2,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	395 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,3W (Ta), 2,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 708

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)