Name: SI3127DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3127DV-T1-GE3TR-ND
Price: 19.8198 CZK
Availability: OutOfStock

SI3127DV-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI3127DV-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI3127DV-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI3127DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI3127DV-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 3,5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI3127DV-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,5A (Ta), 13A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	89mOhm při 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	833 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta), 4,2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	SI3127

Jednotková cena bez DPH:	16,38000 Kč
Jednotková cena s DPH:	19,81980 Kč

SI3127DV-T1-GE3