Name: FDC5614P
Brand: onsemi
SKU: FDC5614PTR-ND
Price: 25.9182 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDC5614P
Číslo produktu DigiKey	FDC5614PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDC5614PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDC5614PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDC5614P
Popis	MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 3A (Ta) 1,6W (Ta) Montáž na povrch SuperSOT™-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDC5614P Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 24 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 759 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,6W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra SuperSOT™-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3A (Ta)	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDC5614
Rds zap (max) při Id, Vgs 105mOhm při 3A, 10V