Name: SI2365EDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
Price: 12.705 CZK
Availability: OutOfStock

SI2365EDS-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI2365EDS-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI2365EDS-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI2365EDS-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 5,9A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	32mOhm při 4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	36 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1W (Ta), 1,7W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	SI2365

Jednotková cena bez DPH:	10,50000 Kč
Jednotková cena s DPH:	12,70500 Kč

SI2365EDS-T1-GE3