Name: SI2365EDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2365EDS-T1-BE3TR-ND
Price: 10.5875 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SI2365EDS-T1-BE3
cms-digikey-product-number	742-SI2365EDS-T1-BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SI2365EDS-T1-BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SI2365EDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SI2365EDS-T1-BE3
cms-description	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
cms-standard-lead-time	22 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	P-kanál 20 V 4,5A (Ta), 5,9A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,5A (Ta), 5,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	32mOhm při 4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	36 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1W (Ta), 1,7W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3