Name: TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R70AR5LQTR-ND
Price: 65.6062 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH2R70AR5,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TPH2R70AR5LQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPH2R70AR5LQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPH2R70AR5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH2R70AR5,LQ
Popis	N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 22A (Ta), 190A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5,75)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,3V při 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 52 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5400 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 210W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 175°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 22A (Ta), 190A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOP rozšířený (5x5,75)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,7mOhm při 50A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 11 636

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®