Name: IAUCN10S7N040ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N040ATMA1TR-ND
Price: 76.4115 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN10S7N040ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN10S7N040ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN10S7N040ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN10S7N040ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN10S7N040ATMA1
Popis	IAUCN10S7N040ATMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 130A (Tj) 142W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-34
Modely EDA/CAD	IAUCN10S7N040ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	130A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4mOhm při 60A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,2V při 66µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	51.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3660 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	142W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-34
Pouzdro	8-PowerTDFN