Name: SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ211ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 58.1889 CZK
Availability: InStock

SQJ211ELP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQJ211ELP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJ211ELP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJ211ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ211ELP-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 33,6A (Tc) 68W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ211ELP-T1_GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	33,6A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	30mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3800 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	68W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SQJ211

Jednotková cena bez DPH:	48,09000 Kč
Jednotková cena s DPH:	58,18890 Kč

SQJ211ELP-T1_GE3