Name: TK7S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7S10N1ZLQTR-ND
Price: 45.1209 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK7S10N1Z,LQ
Číslo produktu DigiKey	TK7S10N1ZLQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK7S10N1ZLQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK7S10N1ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK7S10N1Z,LQ
Popis	MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 7A (Ta) 50W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK7S10N1Z,LQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	48mOhm při 3,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	470 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	50W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK+
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	TK7S10