Name: BSZ160N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ160N10NS3GATMA1TR-ND
Price: 52.7197 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSZ160N10NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ160N10NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ160N10NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ160N10NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ160N10NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 12µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1700 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 63W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ160

Jednotková cena bez DPH:	43,57000 Kč
Jednotková cena s DPH:	52,71970 Kč

BSZ160N10NS3GATMA1