Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 99.341 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK55S10N1,LQ
Číslo produktu DigiKey	TK55S10N1LQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK55S10N1LQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK55S10N1,LQ
Popis	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK55S10N1,LQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 500µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 49 nC @ 10 V
Řada U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3280 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 157W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra DPAK+
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 55A (Ta)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu TK55S10
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,5mOhm při 27,5A, 10V