Name: TK25S06N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK25S06N1L,LQTR-ND
Price: 42.1806 CZK
Availability: InStock

TK25S06N1L,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TK25S06N1L,LQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TK25S06N1L,LQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TK25S06N1L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK25S06N1L,LQ
Popis	MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 25A (Ta) 57W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK25S06N1L,LQ Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	18,5mOhm při 12,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	855 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	57W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK+
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	TK25S06

Jednotková cena bez DPH:	34,86000 Kč
Jednotková cena s DPH:	42,18060 Kč

TK25S06N1L,LQ