Name: TK60S10N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK60S10N1LLXHQTR-ND
Price: 62.073 CZK
Availability: InStock

N-kanál 100 V 60A (Ta) 180W (Tc) Montáž na povrch DPAK+

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK60S10N1L,LXHQ
Číslo produktu DigiKey	264-TK60S10N1LLXHQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TK60S10N1LLXHQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TK60S10N1LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK60S10N1L,LXHQ
Popis	MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 60A (Ta) 180W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK60S10N1L,LXHQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 60 nC @ 10 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Řada U-MOSVIII-H	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4320 pF @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 180W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota 175°C
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra DPAK+
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,11mOhm při 30A, 10V	Základní číslo produktu TK60S10
Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 500µA