TK13A60D(STA4,Q,M) je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 31 924
Jednotková cena : 28,35000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 373
Jednotková cena : 90,50000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 325
Jednotková cena : 56,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 814
Jednotková cena : 72,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 197
Jednotková cena : 78,95000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 70,13000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 218
Jednotková cena : 65,30000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 764
Jednotková cena : 49,77000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 313
Jednotková cena : 93,44000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 378
Jednotková cena : 55,22000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 59,00000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 952
Jednotková cena : 111,50000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 700
Jednotková cena : 43,26000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 767
Jednotková cena : 77,48000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 13A (Ta) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK13A60D(STA4,Q,M)

Číslo produktu DigiKey
TK13A60DSTA4QM-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TK13A60D(STA4,Q,M)
Popis
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 13A (Ta) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
430mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2300 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
50W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220SIS
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.