TK13A60D(STA4,Q,M) je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 355
Jednotková cena : 31,87000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 31 924
Jednotková cena : 28,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 500
Jednotková cena : 83,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 337
Jednotková cena : 54,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 814
Jednotková cena : 59,16000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 38,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 146
Jednotková cena : 58,74000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 784
Jednotková cena : 46,87000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 455
Jednotková cena : 82,07000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 378
Jednotková cena : 54,78000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 18,35165 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 953
Jednotková cena : 110,61000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 270
Jednotková cena : 35,41000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 782
Jednotková cena : 53,12000 Kč
Katalogový list
TO-220-3 Full Pack
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK13A60D(STA4,Q,M)

Číslo produktu DigiKey
TK13A60DSTA4QM-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TK13A60D(STA4,Q,M)
Popis
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 13A (Ta) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
430mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2300 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
50W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220SIS
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.