Name: SSM6K361NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K361NULFTR-ND
Price: 19.0575 CZK
Availability: InStock

SSM6K361NU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6K361NULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6K361NULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6K361NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6K361NU,LF
Popis	MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 3,5A (Ta) 1,25W (Ta) Montáž na povrch 6-UDFNB (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6K361NU,LF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	69mOhm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	430 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,25W (Ta)
Provozní teplota	150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-UDFNB (2x2)
Pouzdro	6-WDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	SSM6K361

Jednotková cena bez DPH:	15,75000 Kč
Jednotková cena s DPH:	19,05750 Kč

SSM6K361NU,LF