N-kanál 100 V 11A (Tc) 11,5W (Tc) Montáž na povrch 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRL100HS121

Číslo produktu DigiKey
IRL100HS121TR-ND - Páska a cívka (TR)
IRL100HS121CT-ND - Řezaná páska (CT)
IRL100HS121DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IRL100HS121
Popis
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 11A (Tc) 11,5W (Tc) Montáž na povrch 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRL100HS121 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
11A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
42mOhm při 6,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,3V při 10µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
440 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
11,5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Pouzdro
6-PowerVDFN
Základní číslo produktu
IRL100
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 16 127
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
125,25000 Kč25,25 Kč
1015,78900 Kč157,89 Kč
10010,34580 Kč1 034,58 Kč
5008,01058 Kč4 005,29 Kč
1 0007,25809 Kč7 258,09 Kč
2 0006,62480 Kč13 249,60 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
4 0005,37212 Kč21 488,48 Kč
8 0004,97714 Kč39 817,12 Kč
12 0004,79924 Kč57 590,88 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:25,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:30,55250 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
8 Položky
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

13,35000 Kč
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,60000 Kč
IRS2005STRPBF

IRS2005STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

19,09000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

24,23000 Kč
2EDF7275KXUMA1

2EDF7275KXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDG TFLGA-13

Infineon Technologies

49,69000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

17,04000 Kč
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

71,86000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

20,33000 Kč
Sady
1 Položky
MOSFET2-KIT

MOSFET2-KIT

20-100V FETS 150PC(10V 15EACH)

Infineon Technologies

1 208,89000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
7 Položky
SSM6K361NU,LF

SSM6K361NU,LF

MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB

Toshiba Semiconductor and Storage

14,37000 Kč
CSD19538Q2

CSD19538Q2

MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON

Texas Instruments

15,60000 Kč
FDMC86116LZ

FDMC86116LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

onsemi

32,44000 Kč
RH7P04BBKFRATCB

RH7P04BBKFRATCB

NCH 100V 40A, DFN3333T8LSAB, POW

Rohm Semiconductor

49,28000 Kč
TPH3R70APL1,LQ

TPH3R70APL1,LQ

150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3

Toshiba Semiconductor and Storage

45,99000 Kč
BUK6D385-100EX

BUK6D385-100EX

MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN

Nexperia USA Inc.

12,93000 Kč
BUK9M43-100EX

BUK9M43-100EX

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33

Nexperia USA Inc.

25,25000 Kč