Name: FDMC86116LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC86116LZTR-ND
Price: 44.4675 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMC86116LZ
Číslo produktu DigiKey	FDMC86116LZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMC86116LZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMC86116LZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMC86116LZ
Popis	MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 3,3A (Ta), 7,5A (Tc) 2,3W (Ta), 19W (Tc) Montáž na povrch 8-MLP (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 310 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,3W (Ta), 19W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-MLP (3,3x3,3)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,3A (Ta), 7,5A (Tc)	Pouzdro 8-PowerWDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDMC86116
Rds zap (max) při Id, Vgs 103mOhm při 3,3A, 10V