SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrétní polovodičové produkty

SSM6K211FE,LF je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6K211FE,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6K211FELFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6K211FE,LF
Popis	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 3,2A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch ES6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6K211FE,LF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIII
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	47mOhm při 2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	510 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	ES6
Pouzdro	SOT-563, SOT-666
Základní číslo produktu	SSM6K211