Name: DMTH6002LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6002LPS-13DITR-ND
Price: 76.4599 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH6002LPS-13
Číslo produktu DigiKey	DMTH6002LPS-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMTH6002LPS-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMTH6002LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH6002LPS-13
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Tc) 167W Montáž na povrch PowerDI5060-8 (typ K)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMTH6002LPS-13 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 130.8 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6555 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 167W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI5060-8 (typ K)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 2mOhm při 50A, 10V	Základní číslo produktu DMTH6002