Name: STW19NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13792-5-ND
Price: 30.7583 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Souhlasím se zasíláním marketingových e-mailů od společnosti DigiKey (volitelné). Beru na vědomí, že svůj souhlas mohu kdykoli odvolat. Přečtěte si prosím naše Prohlášení o ochraně osobních údajů.

Informace

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

Kontaktujte nás

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

STW19NM60N
Číslo produktu DigiKey	497-13792-5-ND
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STW19NM60N
Popis	MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STW19NM60N Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	MDmesh™ II
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	285mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1000 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	110W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-3
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	STW19

Jednotková cena bez DPH:	25,42008 Kč
Jednotková cena s DPH:	30,75830 Kč

STW19NM60N

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás