MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar

IXTH20N65X | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXTH20N65X-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTH20N65X |
Popis | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 20A (Tc) 320W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH) |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1390 pF @ 25 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 320W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247 (IXTH) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 210mOhm při 10A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH20N65X2 | IXYS | 111 | 238-IXTH20N65X2-ND | 189,61000 Kč | MFR Recommended |
| SIHG17N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG17N80E-GE3-ND | 138,80000 Kč | Similar |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 1 812 | SPW17N80C3FKSA1-ND | 148,88000 Kč | Similar |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 50 | 497-15284-5-ND | 83,78000 Kč | Similar |
| STW23N80K5 | STMicroelectronics | 557 | 497-16331-5-ND | 146,99000 Kč | Similar |





