MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IXFH18N60X | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXFH18N60X-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXFH18N60X |
Popis | MOSFET N-CH 600V 18A TO247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 18A (Tc) 320W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH) |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 1,5mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1440 pF @ 25 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 320W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247 (IXTH) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 230mOhm při 9A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH18N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH18N65X2-ND | 43,41607 Kč | MFR Recommended |
| IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix | 2 | IRFP22N60KPBF-ND | 85,13000 Kč | Similar |
| SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG15N60E-GE3-ND | 43,03000 Kč | Similar |
| SIHG17N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG17N80E-GE3-ND | 61,84000 Kč | Similar |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 1 812 | SPW17N80C3FKSA1-ND | 66,33000 Kč | Similar |








