Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IXFH18N65X2 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 238-IXFH18N65X2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXFH18N65X2 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 32 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH) |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5V při 1,5mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 29 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1520 pF @ 25 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 290W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247 (IXTH) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 200mOhm při 9A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | 156,86000 Kč | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 223,63000 Kč | Similar |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 289 | 497-9066-5-ND | 175,33000 Kč | Similar |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | 90,50000 Kč | Similar |
| TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK16N60WS1VF-ND | 135,02000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 300 | 97,44753 Kč | 29 234,26 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 97,44753 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 117,91151 Kč |






