Name: STL110N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13877-2-ND
Price: 77.9966 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STL110N10F7
Číslo produktu DigiKey	497-13877-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-13877-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-13877-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STL110N10F7
Popis	MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 107A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PowerFlat™ (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STL110N10F7 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 72 nC @ 10 V
Řada DeepGATE™, STripFET™ VII	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5117 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 136W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerFlat™ (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 107A (Tc)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu STL110
Rds zap (max) při Id, Vgs 6mOhm při 10A, 10V