Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SCTW40N120G2VAG | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 497-SCTW40N120G2VAG-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SCTW40N120G2VAG |
Popis | SICFET N-CH 1200V 33A HIP247 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 21 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 33A (Tc) 290W (Tc) Průchozí otvor HiP247™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 63 nC @ 18 V |
Mfr | Vgs (max) +22V, -10V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1230 pF @ 800 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 290W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 200°C (TJ) |
Technologie | Třída Automobilový průmysl |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V | Kvalifikace AEC-Q101 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Způsob montáže Průchozí otvor |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V | Dodávaná velikost pouzdra HiP247™ |
Rds zap (max) při Id, Vgs 105mOhm při 20A, 18V | Pouzdro |
Vgs(th) (max) při Id 5V při 1mA | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWS120H100SM4 | Diodes Incorporated | 27 | 31-DMWS120H100SM4-ND | 465,08000 Kč | Similar |
| DMWSH120H90SM3 | Diodes Incorporated | 20 | 31-DMWSH120H90SM3-ND | 250,89000 Kč | Similar |
| DMWSH120H90SM3Q | Diodes Incorporated | 24 | 31-DMWSH120H90SM3Q-ND | 307,83000 Kč | Similar |
| DMWSH120H90SM4Q | Diodes Incorporated | 17 | 31-DMWSH120H90SM4Q-ND | 307,83000 Kč | Similar |
| MSC080SMA120B | Microchip Technology | 124 | MSC080SMA120B-ND | 266,95000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 383,95000 Kč | 383,95 Kč |
| 30 | 238,05867 Kč | 7 141,76 Kč |
| 120 | 206,13225 Kč | 24 735,87 Kč |
| 510 | 194,26898 Kč | 99 077,18 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 383,95000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 464,57950 Kč |




