Name: DMWSH120H90SM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H90SM4Q-ND
Price: 337.2391 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMWSH120H90SM4Q
Číslo produktu DigiKey	31-DMWSH120H90SM4Q-ND
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMWSH120H90SM4Q
Popis	SICFET N-CH 1200V TO-247
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 40A (Tc) 235W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V
Rds zap (max) při Id, Vgs	97.5mOhm při 20A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	47.6 nC @ 15 V
Vgs (max)	+19V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1112 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	235W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4
Pouzdro	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 17

Skladové zásoby výrobce: 6 450

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	278,71000 Kč	278,71 Kč
30	169,46600 Kč	5 083,98 Kč
120	158,88950 Kč	19 066,74 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.