Name: DMWSH120H90SM3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H90SM3-ND
Price: 277.6345 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMWSH120H90SM3
Číslo produktu DigiKey	31-DMWSH120H90SM3-ND
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMWSH120H90SM3
Popis	SICFET N-CH 1200V TO-247
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 41A (Tc) 246W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	41A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V
Rds zap (max) při Id, Vgs	97.5mOhm při 20A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50.9 nC @ 15 V
Vgs (max)	+19V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1090 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	246W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 30

Skladové zásoby výrobce: 5 100

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	229,45000 Kč	229,45 Kč
30	137,11967 Kč	4 113,59 Kč
120	116,86608 Kč	14 023,93 Kč
510	112,88082 Kč	57 569,22 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.