Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 792.7194 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCTL90N65G2V
Číslo produktu DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCTL90N65G2V
Popis	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Montáž na povrch PowerFlat™ (8x8) HV
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCTL90N65G2V Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 1mA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 157 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3380 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 935W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerFlat™ (8x8) HV
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro 4-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 24mOhm při 40A, 18V