N-kanál 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Montáž na povrch PowerFlat™ (8x8) HV
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCTL90N65G2V

Číslo produktu DigiKey
497-SCTL90N65G2VTR-ND - Páska a cívka (TR)
497-SCTL90N65G2VCT-ND - Řezaná páska (CT)
497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce
SCTL90N65G2V
Popis
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardní dodací lhůta výrobce
18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Montáž na povrch PowerFlat™ (8x8) HV
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SCTL90N65G2V Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
STMicroelectronics
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
24mOhm při 40A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3380 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
935W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerFlat™ (8x8) HV
Pouzdro
4-PowerVDFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 847
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1598,70000 Kč598,70 Kč
10457,99600 Kč4 579,96 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 000374,18659 Kč1 122 559,77 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:598,70000 Kč
Jednotková cena s DPH:724,42700 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
7 Položky
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

328,91000 Kč
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

783,28000 Kč
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

257,26000 Kč
IMTA65R033M2HXTMA1

IMTA65R033M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

209,01000 Kč
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

563,18000 Kč
FL06100G

FL06100G

SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8

fastSiC

167,74000 Kč
IMTA65R020M2HXTMA1

IMTA65R020M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

279,43000 Kč