Name: SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL35N65G2VTR-ND
Price: 435.7452 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCTL35N65G2V
Číslo produktu DigiKey	497-SCTL35N65G2VTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-SCTL35N65G2VCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-SCTL35N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCTL35N65G2V
Popis	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Montáž na povrch PowerFlat™ (8x8) HV
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCTL35N65G2V Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 73 nC @ 20 V
Mfr STMicroelectronics	Vgs (max) +22V, -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1370 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 417W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerFlat™ (8x8) HV
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Tc)	Pouzdro 4-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 67mOhm při 20A, 20V	Základní číslo produktu SCTL35
Vgs(th) (max) při Id 5V při 1mA