N-kanál 650 V 68A (Tc) 315W (Tc) Montáž na povrch PG-LHSOF-4-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMTA65R033M2HXTMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IMTA65R033M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IMTA65R033M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IMTA65R033M2HXTMA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 68A (Tc) 315W (Tc) Montáž na povrch PG-LHSOF-4-1
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolSiC™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
68A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
30mOhm při 27,9A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 5,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
34 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1214 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
315W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-LHSOF-4-1
Pouzdro
4-PowerLSFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 791
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1213,76000 Kč213,76 Kč
10146,41900 Kč1 464,19 Kč
100108,40220 Kč10 840,22 Kč
500106,73200 Kč53 366,00 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 00087,19945 Kč174 398,90 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:213,76000 Kč
Jednotková cena s DPH:258,64960 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
8 Položky
IMTA65R026M2HXTMA1

IMTA65R026M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

250,72000 Kč
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

801,07000 Kč
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

612,30000 Kč
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

263,10000 Kč
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

575,98000 Kč
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

336,39000 Kč
IMTA65R050M2HXTMA1

IMTA65R050M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

152,24000 Kč
IMLT65R026M2HXTMA1

IMLT65R026M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

257,02000 Kč