Name: SCT040HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040HU65G3AGTR-ND
Price: 346.302 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT040HU65G3AG
Číslo produktu DigiKey	497-SCT040HU65G3AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-SCT040HU65G3AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-SCT040HU65G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT040HU65G3AG
Popis	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 30A (Tc) 221W (Tc) Montáž na povrch HU3PAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 39.5 nC @ 18 V
Mfr STMicroelectronics	Vgs (max) +22V, -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 920 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 221W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Dodávaná velikost pouzdra HU3PAK
Rds zap (max) při Id, Vgs 55mOhm při 20A, 18V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 1mA	Základní číslo produktu SCT040