Name: SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT027HU65G3AG-ND
Price: 211.28944 CZK
Availability: OutOfStock

N-kanál 650 V 60A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch HU3PAK

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT027HU65G3AG
Číslo produktu DigiKey	497-SCT027HU65G3AG-ND
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT027HU65G3AG
Popis	SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 60A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch HU3PAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 5mA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 60.4 nC @ 18 V
Řada ECOPACK®	Vgs (max) +18V, -5V
Balení Hromadné balení	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1277 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 300W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Dodávaná velikost pouzdra HU3PAK
Rds zap (max) při Id, Vgs 39,3mOhm při 30A, 18V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

K dispozici pro objednání

Zkontrolovat dodací lhůtu

Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení