
GCMX016B120B3H1P | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1560-GCMX016B120B3H1P-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | GCMX016B120B3H1P |
Popis | GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M |
Standardní dodací lhůta výrobce | 6 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 95A (Tc) 246W (Tc) Montáž na šasi |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | SemiQ | |
Řada | ||
Balení | Krabice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4 N-kanál (polomůstek) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 95A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 23mOhm při 50A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 120mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 258nC @ 18V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 7100pF @ 800V | |
Výkon - max | 246W (Tc) | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na šasi | |
Pouzdro | Modul | |
Dodávaná velikost pouzdra | - |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 1 078,88000 Kč | 1 078,88 Kč |
| 10 | 817,07400 Kč | 8 170,74 Kč |
| 100 | 774,30130 Kč | 77 430,13 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 1 078,88000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 1 305,44480 Kč |




