Novinka od společnosti DigiKey
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 500W (Tc) Montáž na šasi
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX008B120B3H1P

Číslo produktu DigiKey
1560-GCMX008B120B3H1P-ND
Výrobce
SemiQ
Číslo produktu výrobce
GCMX008B120B3H1P
Popis
GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
Standardní dodací lhůta výrobce
6 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 500W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
SemiQ
Řada
QSiC™
Balení
Krabice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
120A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
12mOhm při 100A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 120mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
493nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
14400pF při 800V
Výkon - max
500W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
-
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 10
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Krabice
Množství Jednotková cena Celk. cena
11 759,42000 Kč1 759,42 Kč
101 403,96800 Kč14 039,68 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:1 759,42000 Kč
Jednotková cena s DPH:2 128,89820 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
2 Položky
GCMX016B120B3H1P

GCMX016B120B3H1P

GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M

SemiQ

1 078,88000 Kč
GCMX010A120B2B1P

GCMX010A120B2B1P

MOSFET 2N-CH 1200V 214A

SemiQ

1 756,48000 Kč