Name: GCMX008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX008C120S1-E1-ND
Price: 837.5378 CZK
Availability: OutOfStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX008C120S1-E1
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX008C120S1-E1-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX008C120S1-E1
Popis	GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 188A (Tc) 536W (Tc) Montáž na šasi SOT-227
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SemiQ
Řada	QSiC™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	188A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12mOhm při 100A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 40mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	506 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14067 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	536W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-227
Pouzdro	SOT-227-4, miniBLOC

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	692,18000 Kč	692,18 Kč
10	510,81400 Kč	5 108,14 Kč
100	447,32430 Kč	44 732,43 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.