Name: GCMX007C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX007C120S1-E1-ND
Price: 875.9069 CZK
Availability: InStock

Novinka od společnosti DigiKey

N-kanál 1200 V 192A (Tc) 536W (Tc) Montáž na šasi SOT-227

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX007C120S1-E1
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX007C120S1-E1-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX007C120S1-E1
Popis	GEN3 1200V 7M SIC MOSFET MODULE,
Standardní dodací lhůta výrobce	6 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 192A (Tc) 536W (Tc) Montáž na šasi SOT-227
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 100A, 18V
Mfr SemiQ	Vgs(th) (max) při Id 4V při 40mA
Řada QSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 510 nC @ 18 V
Balení Trubice	Vgs (max) +22V, -8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12952 pF @ 1000 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 536W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na šasi
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 192A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-227
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro SOT-227-4, miniBLOC

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 21

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	723,89000 Kč	723,89 Kč
10	533,46300 Kč	5 334,63 Kč
100	434,57650 Kč	43 457,65 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.