Name: GCMX016C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX016C120S1-E1-ND
Price: 811.5591 CZK
Availability: OutOfStock

N-kanál 1200 V 103A (Tc) 303W (Tc) Montáž na šasi SOT-227

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX016C120S1-E1
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX016C120S1-E1-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX016C120S1-E1
Popis	GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 103A (Tc) 303W (Tc) Montáž na šasi SOT-227
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 23mOhm při 50A, 18V
Mfr SemiQ	Vgs(th) (max) při Id 4V při 20mA
Řada QSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 248 nC @ 18 V
Balení Trubice	Vgs (max) +22V, -8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6822 pF @ 1000 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 303W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na šasi
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 103A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-227
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro SOT-227-4, miniBLOC

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	670,71000 Kč	670,71 Kč
10	492,08600 Kč	4 920,86 Kč
100	394,95100 Kč	39 495,10 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.