
GCMS007C120S1-E1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1560-GCMS007C120S1-E1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | GCMS007C120S1-E1 |
Popis | GEN3 1200V 7M SIC MOSFET & SBD |
Standardní dodací lhůta výrobce | 6 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Montáž na šasi SOT-227 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 40mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 505 nC @ 18 V |
Řada | Vgs (max) +22V, -8V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 13094 pF @ 1000 V |
Stav součásti Aktivní | Funkce tranzistoru FET Schottkyho dioda (těleso) |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 536W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V | Způsob montáže Montáž na šasi |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra SOT-227 |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 100A, 18V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 1 124,74000 Kč | 1 124,74 Kč |
| 10 | 850,82100 Kč | 8 508,21 Kč |
| 100 | 751,05870 Kč | 75 105,87 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 1 124,74000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 1 360,93540 Kč |


