Direct
Similar
Similar
Similar

RS1E200BNTB | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | RS1E200BNTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RS1E200BNTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | RS1E200BNTB |
Popis | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
Standardní dodací lhůta výrobce | 16 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montáž na povrch 8-HSOP |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | RS1E200BNTB Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 3,9mOhm při 20A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 1mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 59 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3100 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 3W (Ta), 25W (Tc) | |
Provozní teplota | 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-HSOP | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 6,65334 Kč | 16 633,35 Kč |
| 5 000 | 6,14435 Kč | 30 721,75 Kč |
| 7 500 | 5,88498 Kč | 44 137,35 Kč |
| 12 500 | 5,59367 Kč | 69 920,88 Kč |
| 17 500 | 5,56447 Kč | 97 378,23 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 6,65334 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 8,05054 Kč |





