IRFHM830TRPBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 178
Jednotková cena : 19,79000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 10,55489 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 11 782
Jednotková cena : 39,78453 Kč

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 283
Jednotková cena : 26,10000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 111
Jednotková cena : 33,05000 Kč
Katalogový list
IRFHM830DTR2PBF
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFHM830TRPBF

Číslo produktu DigiKey
IRFHM830TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR)
IRFHM830TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT)
IRFHM830TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFHM830TRPBF
Popis
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2,7W (Ta), 37W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRFHM830TRPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
3,8mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,35V při 50µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2155 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,7W (Ta), 37W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.