Name: RF4E100AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E100AJTCRTR-ND
Price: 35.1505 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RF4E100AJTCR
Číslo produktu DigiKey	RF4E100AJTCRTR-ND - Páska a cívka (TR) RF4E100AJTCRCT-ND - Řezaná páska (CT) RF4E100AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RF4E100AJTCR
Popis	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 10A (Ta) 2W (Tc) Montáž na povrch HUML2020L8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RF4E100AJTCR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12,4mOhm při 10A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1460 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	HUML2020L8
Pouzdro	8-PowerUDFN
Základní číslo produktu	RF4E100