Name: NVMFWS0D4N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS0D4N04XMT1GTR-ND
Price: 137.7101 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFWS0D4N04XMT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NVMFWS0D4N04XMT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMFWS0D4N04XMT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMFWS0D4N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFWS0D4N04XMT1G
Popis	40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Standardní dodací lhůta výrobce	50 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 519A (Tc) 197W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 138 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8550 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 197W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 519A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFN (5x6)
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,42mOhm při 50A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 330µA	Základní číslo produktu NVMFWS