Name: NVMTS0D4N04CLTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D4N04CLTXGOSTR-ND
Price: 304.8958 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMTS0D4N04CLTXG
Číslo produktu DigiKey	NVMTS0D4N04CLTXGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMTS0D4N04CLTXGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMTS0D4N04CLTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMTS0D4N04CLTXG
Popis	MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Standardní dodací lhůta výrobce	50 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 553,8A (Tc) 5W (Ta) Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 163 nC @ 4.5 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 20600 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 553,8A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,4mOhm při 50A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA	Základní číslo produktu NVMTS0